RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
96
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2361
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link