RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
96
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2330
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link