RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2919
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link