RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
72
96
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
72
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1817
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link