RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
96
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1817
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link