RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
96
Около -300% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3907
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link