RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3098
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link