RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1381
2427
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB Сравнения RAM
AMD R334G1339U2S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link