RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2664
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link