RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2664
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link