RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2664
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link