RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2664
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link