RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.9
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
20.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
3963
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link