RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
54
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
10.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2176
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link