Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 48

Около 8% меньшая задержка

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.8 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 48
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 16.8
Скорость записи, Гб/сек

7.5 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1853 2852

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB

Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

модули RAM