RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
3133
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link