RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.9
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2126
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link