RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2789
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link