RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 31
    Около 19% меньшая задержка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.7 left arrow 12.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.3 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    25 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.6 left arrow 15.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 13.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2051 left arrow 3318

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM

Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
модули RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
модули RAM