RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3498
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link