RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
104
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2321
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905458-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link