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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
104
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
37
读取速度,GB/s
3,192.0
15.4
写入速度,GB/s
2,404.5
11.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2321
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
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