RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
2429
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link