RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
34
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
2468
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link