Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 39

Около 36% меньшая задержка

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 39
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 15.5
Скорость записи, Гб/сек

7.2 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2051 2264

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB

модули RAM