RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
3649
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link