RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
    左右 1.51% 更高的带宽
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 66
    左右 -74% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.7
  • 写入速度，GB/s
    13.2 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2429 left arrow 2394

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM的比较

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
内存RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
内存RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
内存RAM