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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
60
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
60
读取速度,GB/s
9.7
15.6
写入速度,GB/s
6.0
12.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2590
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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