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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
74
读取速度,GB/s
12.2
14.3
写入速度,GB/s
8.5
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1677
1779
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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