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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
比较
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
9.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
51
读取速度,GB/s
12.2
9.6
写入速度,GB/s
8.5
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1677
2248
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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