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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
11.3
14.5
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
3017
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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