RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3017
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link