RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2017
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link