RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
47
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
47
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2308
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link