RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
47
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
47
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
10.0
Скорость записи, Гб/сек
13.6
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2308
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link