RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
54
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
9.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2017
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link