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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
54
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
54
读取速度,GB/s
11.3
10.0
写入速度,GB/s
7.5
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2354
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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