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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston 9905598-028.A00G 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.7
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
13.1
写入速度,GB/s
1,590.1
6.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2038
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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