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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
11.3
14.1
写入速度,GB/s
7.5
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
2879
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
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