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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
10.6
14.6
写入速度,GB/s
6.8
12.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3187
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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