RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

总分
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
报告一个错误
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 94
    左右 -262% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.8 left arrow 1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.8 left arrow 1,165.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    94 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    1,882.0 left arrow 19.8
  • 写入速度，GB/s
    1,165.4 left arrow 15.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    305 left arrow 3635

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
内存RAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
内存RAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
内存RAM