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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
94
Por volta de -262% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
26
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3635
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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