RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
94
Por volta de -262% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
26
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3635
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BC1067.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link