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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
71
94
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
71
读取速度,GB/s
1,882.0
16.2
写入速度,GB/s
1,165.4
8.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
1979
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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