RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
71
94
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
71
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
1979
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link