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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
94
左右 -169% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
35
读取速度,GB/s
1,882.0
14.1
写入速度,GB/s
1,165.4
9.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2583
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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