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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
比较
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
总分
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
总分
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
92
左右 71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
92
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1967
1640
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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