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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
7.8
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
3592
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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