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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
79
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
79
读取速度,GB/s
6.3
14.1
写入速度,GB/s
5.2
7.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1651
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
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