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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparez
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Note globale
AMD R5316G1609U2K 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R5316G1609U2K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
73
79
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
79
Vitesse de lecture, GB/s
6.3
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.2
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1309
1651
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparaison des RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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