RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R5316G1609U2K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
79
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
6.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
79
Prędkość odczytu, GB/s
6.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1309
1651
AMD R5316G1609U2K 8GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link